[发明专利]一种钼平面溅射靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201911072981.X | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN110777343A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈艳芳;谢敬佩;苌清华;毛爱霞;毛志平;马窦琴;赵海丽;柳培;杨斌 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;B22F3/105;C22B9/22 |
| 代理公司： | 41120 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈佳丽 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种钼平面溅射靶材的制备方法，涉及溅射靶材制备技术领域，选用纯度≥99.95%的钼粉为原材料，钼粉经冷等静压压制成钼生坯，然后在微波烧结炉、真空条件下将钼生坯烧结成钼板坯；将烧结好的钼板坯用电子束熔炼的方法进行提纯，采用先锻造开坯后交叉轧制的加工方式加工成钼靶材，经真空退火后，再按照规定规格机加工成成品钼溅射靶材。本发明有益效果：本发明制备出的钼溅射靶材纯度高、杂质含量低、致密度高、晶粒细小均匀，有一定的结晶取向、性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 成钼 烧结 钼溅射 靶材 板坯 生坯 钼粉 制备 制备技术领域 电子束熔炼 平面溅射靶 微波烧结炉 晶粒 靶材纯度 溅射靶材 交叉轧制 结晶取向 冷等静压 真空条件 真空退火 机加工 提纯 开坯 加工 压制 锻造 | ||
【主权项】：
1.一种钼平面溅射靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n（1）选用纯度≥99.95%的钼粉作为原材料，将钼粉经冷等静压压制成钼生坯；/n（2）真空条件下在微波烧结炉中将步骤（1）压制成的钼生坯烧结成钼板坯；/n（3）将步骤（2）烧结好的钼板坯用电子束熔炼的方法进行提纯，使得钼板坯的纯度从99.95%提高到99.999%以上，气体杂质C、N、O含量均降到5ppm以下；/n（4）最后采用先锻造开坯后交叉轧制的加工方式将钼板坯加工成钼靶材，经真空退火后，再按照规定规格机加工成成品钼溅射靶材。/n
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