[发明专利]齐纳二极管的制作方法在审
| 申请号： | 201911073791.X | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112768355A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林威;杨红 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/265;H01L29/866 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种齐纳二极管的制作方法，所述制作方法包括：在P衬底上进行N型注入形成高压N阱；在所述高压N阱中形成有源区和STI区域；在所述高压N阱中进行中压PMOS管N型阱注入；在所述高压N阱中进行低压PMOS管N型阱注入；在所述高压N阱中进行中压NMOS管轻掺杂漏注入；在所述高压N阱中对所述有源区进行N型有源区注入和P型有源区注入；在所述有源区上形成金属合金层，在所述金属合金层上形成钝化层，在所述钝化层中开设接触孔，从接触孔引出电极。本发明通过与工艺层次相对应的版图的组合，节省了齐纳注入的光罩，实现了低成本齐纳二极管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 齐纳二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
