[发明专利]一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201911073937.0 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110797454B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 于泠然;祝荣贵;于广华;滕蛟 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01F41/14;H01F10/14 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超高各向异性磁电阻薄膜材料及其制备方法，属于磁性薄膜材料的技术领域。所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。所述制备方法是通过磁控溅射在磁控溅射仪的玻璃基片上依次沉积并经过真空磁场热处理，从而制备得到超高各向异性磁电阻薄膜材料。本发明由于Ta/M双层膜对MgO的化学状态调控相比于单一Ta层对MgO的结构调控要好，因此新提出的结构界面自旋电子散射效果更好，磁电阻值更大，能满足高磁电阻需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 各向异性 磁电 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超高各向异性磁电阻薄膜材料，其特征在于，所述超高各向异性磁电阻薄膜材料为Ta/M/MgO/NiFe/MgO/M/Ta结构，其中的M为Hf或Pt。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学，未经北京科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911073937.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种压电纳米复合材料及其制备方法
- 下一篇：存储器件及其形成方法
