[发明专利]一种高结晶性钒薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201911074109.9 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110643965A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 章嵩;郑龙;涂溶;张联盟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 官群 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高结晶性钒薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)将两块相同规格的钒靶对称相对放置在对靶非平衡型磁控溅射设备沉积腔中的一对溅射靶座上，调节靶面间距为5～20cm；2)将预清洗处理的基体放在磁控溅射设备沉积腔的基片台上，位于两个钒靶中间位置，抽真空至本底真空；3)向磁控溅射设备沉积腔内通入氩气和氢气，待沉积气压稳定后打开钒靶电源开始溅射沉积钒薄膜，即在基体表面沉积得到高结晶性金属钒薄膜。本发明采用对靶非平衡型磁控溅射方法在适当的沉积条件下制备出高结晶性钒膜，步骤简单，重复性好，并且钒膜与基板结合性好，钒薄膜晶粒生长取向显著。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射设备 高结晶性 沉积腔 非平衡型 对靶 钒膜 制备 薄膜 金属钒薄膜 氩气 薄膜晶粒 本底真空 沉积气压 沉积条件 磁控溅射 基板结合 基体表面 溅射沉积 生长取向 相对放置 氢气 抽真空 溅射靶 预清洗 靶面 沉积 电源 对称 | ||
【主权项】：
1.一种高结晶性钒薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1)将两块相同规格的钒靶对称相对放置在对靶非平衡型磁控溅射设备沉积腔中的一对溅射靶座上，调节靶面间距为5～20cm；/n2)将预清洗处理的基体放在磁控溅射设备沉积腔的基片台上，位于两个钒靶中间位置，抽真空至本底真空；/n3)向磁控溅射设备沉积腔内通入氩气和氢气，其中氩气流量为15～30sccm，氢气流量为1～5sccm，并调节沉积气压为0.5～5Pa，待沉积气压稳定后打开钒靶电源开始溅射沉积钒薄膜，沉积结束关闭钒靶电源，停止通入氩气氢气，即在基体表面沉积得到高结晶性金属钒薄膜。/n
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