[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201911074567.2 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110767784A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 方信乔;王信介;赖彦霖 | 申请（专利权）人： | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提出一种半导体结构。半导体结构包含一基板。半导体结构也包含一第一缓冲层，第一缓冲层设置于基板上。半导体结构还包含一第二缓冲层，第二缓冲层设置于第一缓冲层上。半导体结构包含一组件层，组件层设置于第二缓冲层。第二缓冲层包含铝，且第二缓冲层的铝含量在远离基板的方向上逐渐增加。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 半导体结构 基板 组件层 逐渐增加 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基板；/n第一缓冲层，设置于所述基板上；/n第二缓冲层，设置于所述第一缓冲层上；以及/n组件层，设置于所述第二缓冲层上；/n其中所述第二缓冲层包含铝，且所述第二缓冲层的铝含量在远离所述基板的方向上逐渐增加。/n
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