[发明专利]一种碘化铅单晶纳米线及制备方法在审
| 申请号： | 201911075663.9 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110656375A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李国辉;刘艳珍;高芮;崔艳霞;冀婷;王文艳;郝玉英 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B25/00;C30B29/62;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 14101 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属卤化物单晶纳米线及其制造方法。一种碘化铅单晶纳米线，以金、银或铂金纳米岛状薄膜诱导化学气相沉积碘化铅纳米线定向生长，其外形为一维线状，单根纳米线长度为100至200μm，直径为100至300 nm。本发明还涉及一种金属卤化物单晶纳米线制造方法，在金属纳米孤岛的催化下，化学气相沉积的碘化铅纳米线的长度有大幅度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶纳米线 碘化铅 化学气相沉积 金属卤化物 纳米线 单根纳米线 定向生长 金属纳米 金 银 纳米岛 铂金 线状 催化 薄膜 制造 孤岛 诱导 | ||
【主权项】：
1.一种碘化铅单晶纳米线，其特征在于：以金、银或铂金纳米岛状薄膜诱导化学气相沉积碘化铅纳米线定向生长，其外形为一维线状，单根纳米线长度为100至200 μm，直径为100至300 nm。/n
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