[发明专利]一种大尺寸超薄铌酸锂基片的双面抛光方法有效
| 申请号： | 201911075696.3 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110744364B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 沈浩;王勤峰;徐秋峰;朱海瀛;丁孙杰;曹焕;汤卓伦 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;C30B33/10;C30B29/30 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 王丽丹 |
| 地址： | 314412 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸超薄铌酸锂基片的双面抛光方法，包括如下步骤：a)将切割后的大尺寸超薄铌酸锂晶片研磨后获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面研磨片；b)然后进行双面减薄，超声清洗，获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面减薄片；c)在盛有硝酸、氢氟酸和缓释剂均匀混合的密闭容器中直接进行化学腐蚀，获得表面随机无序凹坑结构的大尺寸超薄铌酸锂腐蚀片；d)用双面抛机和抛光液进行双面抛光，再进行超声清洗，获得最终的大尺寸超薄铌酸锂双抛片。本发明一次抛光，批量生产，抛光效率高，生产的铌酸锂基片表面平坦度高，这一特征决定了铌酸锂基片在器件应用中不易破碎，材料利用率高，加工成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 超薄 铌酸锂基片 双面 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸超薄铌酸锂基片的双面抛光方法，包括如下步骤：/na)将切割后的大尺寸超薄铌酸锂晶片，用粒度为1～16um的磨料研磨，使大尺寸超薄铌酸锂晶片的粗糙度＜200nm，平坦度＜10um，再进行超声清洗，获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面研磨片；/nb)将研磨后的大尺寸超薄铌酸锂晶片，用粒度为2000#～10000#的特制减薄砂轮进行双面减薄，使大尺寸超薄铌酸锂晶片的粗糙度＜100nm，平坦度＜2um，再进行超声清洗，获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面减薄片；/nc)将大尺寸超薄铌酸锂双面减薄片在盛有硝酸、氢氟酸和缓释剂均匀混合的密闭容器中直接进行化学腐蚀，腐蚀温度为20℃～25℃，腐蚀时间为12～48小时，使大尺寸超薄铌酸锂晶片的粗糙度＜50nm，平坦度＜2um，再进行超声清洗，获得表面随机无序凹坑结构的大尺寸超薄铌酸锂腐蚀片；/nd)将大尺寸超薄铌酸锂腐蚀片用双面抛机和抛光液进行双面抛光，抛光单位面压为200g/cm
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