[发明专利]剥离方法在审
申请号: | 201911075982.X | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN111180391A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 小柳将 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683;H01L27/15;B23K26/50 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 沈娥;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供一种剥离方法,在不会带来损伤的情况下将以分割的状态载置在基板上的光器件层移设至移设部件。该剥离方法包括下述步骤:缓冲层形成步骤,在基板的正面上形成缓冲层;光器件层形成步骤,在该缓冲层上形成光器件层;分割步骤,在该基板的正面上将该缓冲层和该光器件层按照各个器件进行分割;移设部件接合步骤,在该光器件层的正面接合移设部件;缓冲层破坏步骤,使具有对于该基板来说为透过性、对于该缓冲层来说为吸收性的波长的脉冲激光从该基板的背面侧透过该基板而照射至该缓冲层,破坏该缓冲层;以及光器件层移设步骤,将该光器件层移设至移设部件,该缓冲层破坏步骤中,该脉冲激光每一次脉冲的能量密度为1.0mJ/mm |
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搜索关键词: | 剥离 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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