[发明专利]双侧存储阵列有效
| 申请号： | 201911076929.1 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110827900B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 唐原;徐仁泰 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双侧存储阵列，所述双侧存储阵列包含位于中央的闪存单元阵列，且闪存单元阵列的两个相对侧的每一侧上均连接四个本地X解码器。每一个所述本地X解码器包括八个晶体管。相比现有的本地X解码器，仅仅增加了额外的三个晶体管，就可以避免存储单元在擦除操作过程中被选中的问题，且电路简单，易于实现，而且将八个本地X解码器分布在位于中央的闪存单元阵列的两个相对侧上，使其可以适应现有技术中的八条字线的间距，因此不会显著增加电路占用面积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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