[发明专利]复合磁路结构直流真空灭弧室及其应用的直流真空开关有效
| 申请号： | 201911076993.X | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN110853972B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 马慧;耿英三;刘志远;王建华;孙丽琼;刘劭玮;刘沣 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01H33/664 | 分类号： | H01H33/664 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 何会侠 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 复合磁路结构直流真空灭弧室及其应用的直流真空开关，该直流真空灭弧室包括真空灭弧室瓷壳，真空灭弧室瓷壳外侧配置的静侧永磁体组合结构和动侧永磁体组合结构，真空灭弧室瓷壳内侧的瓷壳内侧导磁件、静侧触头组合结构、动侧触头组合结构、静侧触头环形导磁结构和动侧触头环形导磁结构；该直流真空开关包括复合磁路结构直流真空灭弧室和与其相匹配的操动机构；本发明通过动、静侧永磁体组合结构、真空灭弧室瓷壳内侧导磁件和动、静侧触头环形导磁结构，在动、静侧触头结构间隙产生复合磁路磁场；实现了永磁体结构对于杯状触头间隙真空电弧的横向磁场作用的基础条件下，优化了永磁体的布置方式，减小真空灭弧室的体积，加强了横向磁场的作用，可用于直流电流的真空开断。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 磁路 结构 直流 真空 灭弧室 及其 应用 真空开关 | ||
【主权项】：
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