[发明专利]使用牺牲层形成电容器在审
| 申请号： | 201911077895.8 | 申请日： | 2019-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111490035A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | D·D·施里岚;S·科尔克马兹;李健;S·萨帕;D·拉伊 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述与使用牺牲材料形成电容器有关的方法、设备及系统。实例性方法包含在衬底上形成第一硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第二氮化物材料上形成牺牲材料。所述方法进一步包含穿过所述第一硅酸盐材料、所述第一氮化物材料、所述第二硅酸盐材料、所述第二氮化物材料及所述牺牲材料形成电容器材料柱。所述方法进一步包含移除所述牺牲材料以暴露所述电容器材料的顶部部分。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 牺牲 形成 电容器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911077895.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
