[发明专利]一种高隔离度超宽带微波单片开关芯片及其设计方法有效
| 申请号： | 201911079172.1 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110750955B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 朱浩然;宁欣宇 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;H01L27/02;H01P1/15 |
| 代理公司： | 合肥国和专利代理事务所(普通合伙) 34131 | 代理人： | 张祥骞 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高隔离度超宽带微波单片开关芯片及其设计方法。微波单片开关芯片包括输入端PAD和两个传输臂。传输臂包括第一GaAs FET管组、微带线和输出端PAD。微带线上分别并联有第二GaAs FET管组、第三GaAs FET管组和第四GaAs FET管组。微带线，在其与第三GaAs FET管组的连接点上并联有第一组MIM电容，在其与第四GaAs FET管组的连接点上并联有第二组MIM电容，在其末端并联有第三组MIM电容。第二GaAs FET管组和第三GaAs FET管组之间的微带线、第三GaAs FET管组和第四GaAs FET管组之间的微带线以及第四GaAs FET管组与输出端PAD之间的微带线的长度均小于四分之一波长。本发明能够解决现有技术中存在的提高隔离度和改善输出驻波比必须依赖增加多级并联GaAs FET管和四分之一波长传输线的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 宽带 微波 单片 开关 芯片 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高隔离度超宽带微波单片开关芯片，其特征在于：包括输入端PAD(400)和对称设置在输入端PAD(400)两侧的两个传输臂；所述传输臂包括依次串联连接的第一GaAs FET管组(101)、微带线和输出端PAD(500)；所述微带线上从首端至尾端依次设有第二GaAs FET管组(102)、第三GaAs FET管组(103)和第四GaAs FET管组(104)；所述第二GaAs FET管组(102)、第三GaAs FET管组(103)和第四GaAs FET管组(104)分别与微带线并联连接；所述微带线，在其与第三GaAs FET管组(103)的连接点上并联有第一组MIM电容(301)，在其与第四GaAs FET管组(104)的连接点上并联有第二组MIM电容(302)，在其末端并联有第三组MIM电容(303)；所述第二GaAs FET管组(102)和第三GaAs FET管组(103)之间的微带线、第三GaAsFET管组(103)和第四GaAs FET管组(104)之间的微带线以及第四GaAs FET管组(104)与输出端PAD(500)之间的微带线的长度均小于四分之一波长。/n
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