[发明专利]夹层中空双壳结构的硅-碳-石墨烯电极材料及制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911079510.1 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110828814B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张耀;朱超烨;曲翊 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王艳丽 |
| 地址： | 210018 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种夹层中空双壳结构的硅‑碳‑石墨烯电极材料及制备方法和应用。该材料具有如下结构：夹层中空双壳结构的硅‑碳颗粒固定在氧化还原石墨烯片层上，其中所述硅‑碳颗粒具有纳米硅颗粒内核，纳米硅颗粒表面包裹SiOx层，SiOx层外具有碳层，SiOx层与碳层之间为中空层。本发明还提供了所述的夹层中空双壳结构的硅‑碳‑石墨烯电极材料在制备锂离子电池负极材料的应用及制备方法。本发明夹层中空双壳结构的硅‑碳‑石墨烯电极材料，具有可逆容量高、循环稳定性好、可规模化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 夹层 中空 结构 石墨 电极 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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