[发明专利]一种导电高分子/五氧化二铌异质结的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201911079915.5 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110845728B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 于平平;王群亮;姜岩峰 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C08G73/02 | 分类号： | C08G73/02;C08G73/06;C08G61/12;C08K3/22;H01L51/42 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 仇钰莹 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种导电高分子/五氧化二铌异质结的制备方法及其应用，属于半导体纳米材料技术领域。本发明以铌箔作为前驱体，水热法制备Nb |
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| 搜索关键词： | 一种 导电 高分子 氧化 二铌异质结 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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