[发明专利]一种P重掺型硅片喷砂前预处理方法有效
| 申请号： | 201911081149.6 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110957207B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王建华;贺贤汉;丁晓健;吴边 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种P重掺型硅片喷砂前预处理方法，包括A混酸腐蚀：将P重掺型硅片置于含有HF以及HNO |
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| 搜索关键词： | 一种 重掺型 硅片 喷砂 预处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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