[发明专利]半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201911081295.9 申请日: 2013-06-05
公开(公告)号: CN110620052A 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 川守崇司;铃木直也 申请(专利权)人: 日立化成株式会社
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552;H01L25/065;H05K3/28;H01L21/60
代理公司: 72002 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王灵菇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供可谋求生产效率的提高的半导体装置的制造方法。半导体装置(1)的制造方法包含使密封材料(7)固化的工序,在该工序中,施予将半导体元件(3)密封的密封材料(7),在与半导体元件(3)对置的模具上设置离型膜(F),并利用上模具(22)和下模具(24)使密封材料(7)固化;在离型膜(F)的与密封材料(7)接触的一侧,预先设置用于将电磁波屏蔽的金属层(9),在使密封材料(7)固化的工序中,将金属层(9)转印到密封材料(7)上。
搜索关键词: 密封材料 固化 半导体元件 半导体装置 金属层 离型膜 电磁波屏蔽 生产效率 预先设置 上模具 下模具 对置 转印 密封 模具 制造
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,其通过使用了具有上模具和下模具的压塑模具的压塑成型方式来制造半导体装置,/n所述制造方法包含使密封材料固化的工序,在该工序中,施予将搭载在基板上的半导体元件密封的密封材料,在与所述半导体元件对置的模具上设置离型膜,并利用所述上模具和所述下模具使所述密封材料固化,/n将在所述离型膜的与所述密封材料接触的一侧预先设置有用于将电磁波屏蔽的屏蔽材料的所述离型膜设置在所述上模具上,/n在使所述密封材料固化的工序中,在将所述密封材料施予到所述基板上后,将所述上模具和所述下模具对合,使所述密封材料固化,同时将所述屏蔽材料转印到所述密封材料上;/n其中,所述屏蔽材料为金属层,/n所述金属层通过蒸镀法或溅射法形成在所述离型膜上。/n
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