[发明专利]超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构与制备方法在审
| 申请号： | 201911081536.X | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110707075A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 王新;蒋振雷 | 申请（专利权）人： | 杭州晶通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 张超 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构，包括被第一塑封体塑封的器件芯片，器件芯片的引脚外露出第一塑封体，器件芯片靠近第一塑封体外围的引脚与第二塑封体内的金属互联柱连接，器件芯片靠近第一塑封体中心的引脚与第二塑封体内的互联芯片连接，互联芯片被第二塑封体完全包裹，金属互联柱外露出第二塑封体，第二塑封体远离第一塑封体的一侧设有和外露的金属互联柱适配的重新布线层，重新布线层远离第二塑封体的一侧设置锡球。本发明还公开了此种超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构的制备方法。采用本发明的设计方案，实现了对具有超精细引脚结构的高密度芯片进行扇出型集成封装的工艺结构。 | ||
| 搜索关键词： | 塑封体 器件芯片 塑封 引脚 多芯片模组 扇出型封装 重新布线层 互联芯片 互联 金属 三维 体内 高密度芯片 工艺结构 集成封装 引脚结构 超精细 扇出型 柱连接 外露 适配 锡球 制备 外围 | ||
【主权项】：
1.一种超高密度多芯片模组的三维扇出型封装结构，其特征在于：包括被第一塑封体塑封的器件芯片，器件芯片的引脚外露出第一塑封体，器件芯片靠近第一塑封体外围的引脚与第二塑封体内的金属互联柱连接，器件芯片靠近第一塑封体中心的引脚与第二塑封体内的互联芯片连接，互联芯片被第二塑封体完全包裹，金属互联柱外露出第二塑封体，第二塑封体远离第一塑封体的一侧设有和外露的金属互联柱适配的重新布线层，重新布线层远离第二塑封体的一侧设置锡球。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州晶通科技有限公司，未经杭州晶通科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911081536.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光器件及发光装置
- 下一篇：半导体器件以及形成半导体器件的方法
- 同类专利
- 专利分类
