[发明专利]半导体结构样本制备及分析系统在审
| 申请号： | 201911081551.4 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN112485269A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 洪世玮;李正中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N23/04;G01N23/2251;G01Q60/38;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供用于确定半导体结构样本中的缺陷的系统及方法，所述半导体结构样本被制备用于显微分析。一种半导体结构样本制备及分析系统包括半导体结构样本，所述半导体结构样本包括结构、位于结构上的保护性顶盖层及位于保护性顶盖层上的间隙填充剂材料。显微装置获取半导体结构样本的图像。样本缺陷识别电路系统基于所获取的图像来确定半导体结构样本中缺陷的存在。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 样本 制备 分析 系统 | ||
【主权项】：
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