[发明专利]用于测量微电子元件分层金属化结构中机械应力的传感器有效
申请号: | 201911081720.4 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN111157152B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | G·西布罗特;L·克尔朱卡 | 申请(专利权)人: | IMEC非营利协会 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18;G01L5/162;H01L21/66 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨洁 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于测量诸如集成电路管芯的后道工艺部分的分层金属化结构中机械应力的传感器。该传感器用作包括栅电极(1)、栅极介电(5)、沟道(6)以及源极和漏极(7、8)的场效应晶体管,其中,栅电极是第一金属化层的导体(1),而源极和漏极电极是两个互连通孔(7、8),将沟道(6)连接至相邻层中的各个导体(3、4)。互连通孔中的至少一个通孔由其电阻对通孔方向上的机械应力敏感的材料形成。电阻对机械应力的敏感性足以通过读出晶体管的漏极电流来对应力进行测量。传感器因此允许在开裂发生前监测BEOL中的应力。 | ||
搜索关键词: | 用于 测量 微电子 元件 分层 金属化 结构 机械 应力 传感器 | ||
【主权项】:
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