[发明专利]MEMS移相器及其制作方法有效
| 申请号： | 201911082335.1 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN112787052B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王瑛;武杰;李亮;唐粹伟;贾皓程;曹雪;丁天伦;车春城;刘昊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/18 | 分类号： | H01P1/18;H01P11/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈俊;闫小龙 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种MEMS移相器及其制作方法，该MEMS移相器包括：第一基板，其具有第一表面；共面波导，其位于所述第一基板的所述第一表面上，并且包括第一导电线和分别位于所述第一导电线两侧且与所述第一导电线绝缘的两条第二导电线；以及多个电容桥，其位于所述共面波导远离所述第一基板的一侧，所述多个电容桥间隔排布且与所述第一导电线和所述第二导电线绝缘，并且所述多个电容桥的每一个与所述第一导电线交叉设置，其中所述第一基板的所述第一表面包括第一凹槽，并且所述第一导电线悬置在所述第一凹槽上方。 | ||
| 搜索关键词： | mems 移相器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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