[发明专利]一种异质结阵列及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911083095.7 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110743574B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 冯晴亮;李萌;王肖剑;郑建邦 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;C25B11/091;C25B1/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种异质结阵列及其制备方法和应用，所述异质结阵列包括过渡金属氧化物纳米柱以及生长在过渡金属氧化物纳米柱表面的过渡金属硫族化合物纳米片。本发明通过涡旋流化学气相沉积(VFCVD)法制备异质结阵列，利用载气进入准密闭的盒子，在限域空间内产生涡流传输状态，导致前驱体蒸气压增大，具有高表面能量的柔性基底作为高效的界面捕集剂，从而在柔性基底上控制合成垂直于基底的过渡金属氧化物纳米柱，并在纳米柱表面垂直生长过渡金属硫族化合物纳米片，得到垂直金属‑半导体异质结阵列，具有优异的电解水制氢(HER)活性，可应用于电催化析氢。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种异质结阵列，其特征在于，所述异质结阵列包括过渡金属氧化物纳米柱以及生长在过渡金属氧化物纳米柱表面的过渡金属硫族化合物纳米片。/n
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