[发明专利]一种增强驻波声场特性的声表面波芯片的设计方法在审
| 申请号： | 201911086051.X | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111416593A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 韩建宁;唐帅;杨鹏;张赛;温廷敦 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京翔石知识产权代理事务所(普通合伙) 11816 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 030051 *** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种增强驻波声场特性的声表面波芯片的设计方法，在确定普通压电基底材料的声表面波器件对比测试实验基础上构建铜柱阵列微结构的声场增强实验方案，通过实验获取基于声表面波信号控制的声学铜柱阵列微结构的多参数调节规律，并进行数据记录和分析，构建基于声学铜柱阵列微结构的声表面波模型，进行声波频率控制模拟实验，通过计算获得分析结果，获得多参数调节与声场分布特性的变化规律，加工并制作具有声场增强效果的铜柱阵列微结构的声表面波芯片的器件，不同的铜柱间距以及不同的铜柱阵列，对声场的调控以及增强效果是不一样的，实现多尺度、多功能的微流控需要，有效地对表面波声场进行调控，使声表面波芯片做到“按需定制”。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 驻波 声场 特性 表面波 芯片 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中北大学，未经中北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911086051.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
