[发明专利]一种鳍状结构及半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201911086092.9 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110896034B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;程晓红;罗军;殷华湘;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供鳍状结构的制备方法，包括步骤：自衬底外延形成第一高迁移率材料层，或，依次外延应变缓冲层和第一高迁移率材料层以形成叠层；自顶层向下形成若干鳍状结构；淀积氧化介质层并进行第一次平坦化处理；选择性去除至少一个鳍状结构以形成至少一个凹槽；选择性外延第二高迁移率材料后进行第二次平坦化处理以在凹槽中形成第二外延结构；选择性去除至少一个鳍状结构和/或第二外延结构以形成至少一个凹槽；选择性外延第三高迁移率材料后进行第三次平坦化处理，在凹槽中形成第三外延结构；依次形成第n外延结构；腐蚀氧化介质层，使鳍状结构、第二外延结构、第三外延结构和第n外延结构露头。本发明还提供半导体器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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