[发明专利]测试键结构在审
| 申请号： | 201911086116.0 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN112768435A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王喆 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01B7/02;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种测试键结构，其包含导体材料层定义至少一测试区域，测试区域包含中央部、第一子部、第二子部、第一窄颈部及第二窄颈部，第一子部对应于中央部的两相对第一端设置，且以沿着第一方向延伸的第一窄颈部连接第一子部及第一端，第二子部对应于中央部的两相对第二端设置，且以沿着第二方向延伸的第二窄颈部连接第二子部及第二端；第一上导体层设置于中央部上方，且以第一通孔触点电连接至中央部；第二上导体层设置于第一子部及第二子部上方，且以第二通孔触点电连接至第一子部与第二子部。此测试键结构可应用于检测电熔丝图案的制作工艺宽容度。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 | ||
【主权项】：
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