[发明专利]一种深紫外薄膜半导体器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201911086642.7 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111029449B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 钟志白;林伟;郑锦坚;康俊勇;蔡端俊 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 薄膜 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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