[发明专利]电阻式随机存取存储器阵列及其制造方法在审
| 申请号： | 201911086645.0 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN112786780A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 傅志正;林铭哲 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式随机存取存储器阵列及其制造方法。电阻式随机存取存储器阵列包括基板，此基板的阵列区包括第一区及第二区。电阻式随机存取存储器阵列包括位于基板上的底电极层、位于底电极层上的氧离子储藏层、位于氧离子储藏层上的扩散阻障层、位于扩散阻挡层上的电阻转换层以及位于电阻转换层上的顶电极层。位于第一区的扩散阻挡层不同于位于第二区的扩散阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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