[发明专利]一种全片内高速参考电压驱动电路在审
| 申请号： | 201911086813.6 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111010182A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 赵喆;吴汉明 | 申请（专利权）人： | 芯创智（北京）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12;H03M1/06 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;文永明 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种全片内高速参考电压驱动电路，包括：高精度电压电流产生电路和输出驱动电路，其中：所述高精度电压电流产生电路，用于产生高精度电压，作为输出驱动电路的参考电压，用于产生偏置电流，作为输出驱动电路中运算放大器的偏置电流；所述高精度电压电流产生电路，具体包括：启动电路，用于判断第一参考电平vrefpi的电平值，使电路工作在正确的启动工作点，高精度参考电压产生电路，用于产生高精度电压，所述高精度电压包括：具有零温度系数的第一参考电平vrefpi、以及第二参考电平vrefni，电流偏置电路，用于产生偏置电流。本发明，建立速度快(建立时间短)，功耗低，输出电压小于1V，无源器件少，兼容CMOS工艺，面积小，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 全片 高速 参考 电压 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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