[发明专利]一种闪烁晶体阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201911087053.0 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111103613A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 郑熠;吴少凡;黄鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | G01T1/202 | 分类号： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 戴嵩玮;周锐 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种闪烁晶体阵列及其制备方法，方法至少包括：在基板上设置多个间隔设置的固定区域，将多个闪烁晶体的第一端面分别放置在多个固定区域上，封装，得到闪烁晶体阵列；第一端面上设有第一磁性部；固定区域上设有第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部为异名磁极。本发明的闪烁晶体阵列制备方法避免了闪烁晶体之间由于相互挤压摩擦使反射膜偏移的缺点，同时，本申请通过利用磁性区域将闪烁晶体限制在固定区域上，通过磁性区域阵列来完成闪烁晶体的阵列，减少了现有技术中采用晶体堆叠、切割的方法产生的切割偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪烁 晶体 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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