[发明专利]具有超结和嵌氧硅层的半导体器件在审
| 申请号： | 201911087459.9 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111180522A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | M.珀尔茨尔;黄小秋;R.哈泽;R.K.约希;S.莱奥曼特;马凌;A.迈泽;M.雷施 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了具有超结和嵌氧硅层的半导体器件。半导体器件包括：第一导电类型的源极区和漏极区；在源极区和漏极区之间的第二导电类型的体区；栅极，被配置为控制通过体区的沟道的电流；在体区和漏极区之间的第一导电类型的漂移区带；由多个第二导电类型的区形成的超结结构，所述多个第二导电类型的区被由漂移区带的各间隔区在横向上彼此分隔开；以及沿着超结结构的第二导电类型的区的侧壁部署的扩散阻挡结构。扩散阻挡结构包括交替的硅层和掺杂有氧的硅层以及在交替的硅层和掺杂有氧的硅层上的硅遮盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌氧硅层 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911087459.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
