[发明专利]斜型栅结构氧化镓场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201911088386.5 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110808211A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;刘宏宇;王元刚;周幸叶;宋旭波;梁士雄;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝晓红 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于半导体制造技术领域，提供了一种斜型栅结构氧化镓场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上外延制备n型掺杂氧化镓沟道层，并在所述n型掺杂氧化镓沟道层上沉积源电极和漏电极，获得第一样品；在所述样品上沉积介质层，并在所述介质层中刻蚀出一与所述介质层厚度一致的倒梯形结构，获得第二样品；在所述第二样品上的所述倒梯形结构中制备T型栅电极，从而可以提高斜型栅结构氧化镓场效应晶体管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 斜型栅 结构 氧化 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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