[发明专利]一种可应用于室温高湿环境下的纳米硅传感器及其制备方法在审
申请号: | 201911088995.0 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN112782241A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 秦玉香;藏俊生;闻棕择;裘沛伦 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12;G01N33/497;B82Y40/00 |
代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人: | 王秀奎;谢萌 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种可应用于室温高湿环境下的纳米硅传感器及其制备方法,采用金属辅助化学刻蚀法制备垂直排列的光滑硅纳米线阵列并去除Ag颗粒,然后在硅纳米线阵列表面涂覆AgNO |
||
搜索关键词: | 一种 应用于 室温 环境 纳米 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911088995.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。