[发明专利]一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅

摘要

本发明涉及一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法及制得的黑硅，所述方法包括：1)采用等离子体处理方法，对硅片进行表面处理，在硅片表面形成点状非连续SiOx掩膜，处理时间决定黑硅锥状结构的密度；2)然后进行等离子体刻蚀，即在硅表面制得锥状陷光结构，刻蚀时间决定锥状结构的深度。本发明的方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性的黑硅，吸光特性可通过结构的密度和深度分别进行调控。而且，该方法工艺流程简单、成本低、重复性好，能够直接制备大面积的黑硅，具有很高的制备效率，适用于实际生产的批量制备，且制备的黑硅光吸收性能十分优异。

主权项

1.一种硅表面制作密度可调的锥状陷光结构的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n(1)采用等离子体处理方法，对硅片进行表面处理；/n(2)然后进行等离子体刻蚀，即在硅表面制得锥状陷光结构。/n