[发明专利]一种模拟型HfOx有效

专利信息
申请号: 201911090016.5 申请日: 2019-11-08
公开(公告)号: CN110911559B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 孙华军;田宝毅;缪向水 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L21/66;G11C29/50;G11C13/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 许恒恒;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于微电子器件技术领域,公开了一种模拟型HfOx/HfOy同质结忆阻器及其调控方法,该同质结忆阻器包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层,其中,所述功能层是由HfOx层与HfOy层自下而上堆叠形成的HfOx/HfOy同质结功能层;对于该HfOx/HfOy同质结功能层,1.6x1.8,1.9y2,且所述HfOx层的厚度大于所述HfOy层的厚度。本发明通过对关键的器件结构尤其是功能层组成等进行改进,采用堆叠生长高/低氧空位的氧化铪叠层作为阻变功能层,与现有技术相比能够有效解决模拟型忆阻器及基于模拟型忆阻器的电子突触仿生器件阻值渐变窗口小、操作速度慢以及一致性的技术的问题。
搜索关键词: 一种 模拟 hfo base sub
【主权项】:
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