[发明专利]具有电容单元且具有与电容单元耦合的电阻结构的集成组合件在审
申请号: | 201911090159.6 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN111508957A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 杉本智;保坂広樹;大石隼人 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L49/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请案涉及具有电容单元且具有与所述电容单元耦合的电阻结构的集成组合件。一些实施例包含一种集成组合件,所述集成组合件具有包含多个电容子单元的电容单元。第一导电结构位于所述电容子单元的第一群组下方且与其耦合。第二导电结构位于所述电容子单元的第二群组下方且与其耦合。第三导电结构位于所述电容子单元上方且与所有所述电容子单元耦合。电阻结构在所述第一及第二导电结构下方延伸。所述电阻结构具有位于所述第一导电结构下方且与所述第一导电结构耦合的第一端区域。所述电阻结构包含从所述第一端区域延伸到第二端区域的电阻线。 | ||
搜索关键词: | 具有 电容 单元 耦合 电阻 结构 集成 组合 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的