[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构及功率半导体器件有效
| 申请号： | 201911090164.7 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN112786680B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 戴小平;王亚飞;陈喜明;唐龙谷;李诚瞻;王彦刚 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/78;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;张杰 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOSFET元胞结构及功率半导体器件，包括：第一导电类型衬底层；位于第一导电类型衬底层上方的第一导电类型漂移区；在第一导电类型漂移区上方依次设置第一导电类型阻挡层、第二导电类型阱区和第一导电类型增强源区，其中第一导电类型阻挡层浓度大于第一导电类型漂移区的浓度；在第一导电类型漂移区表面还设置有源极金属和肖特基金属，并分别形成欧姆接触和肖特基接触；本发明通过在碳化硅MOSFET元胞内集成SBD，使模块封装时无需额外封装SBD，降低了封装成本，减少了键合线的寄生电感。同时通过在MOSFET元胞中第二导电类型阱区与第一导电类型漂移区的PN结附近漂移区侧设置有高浓度的第一导电类型阻挡层，有效的抑制第二导电类型阱区载流子向第一导电类型漂移区的注入，改善了碳化硅双极退化现象，并提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mosfet 器件 结构 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代电气股份有限公司，未经株洲中车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911090164.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种聚烯烃组合物及其制备方法和应用
- 下一篇：一种用户终端测量配置方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
