[发明专利]一种嵌入式双面互连功率模块封装结构和制作方法有效
| 申请号： | 201911090622.7 | 申请日： | 2019-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN110854103B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 秦飞;赵帅;代岩伟;陈沛;安彤 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L25/18;H01L23/367;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种嵌入式双面互连功率模块封装结构和制作方法，由IGBT功率芯片，二极管芯片，上DBC基板，下DBC基板，中间转接板，介电填充层，焊料层，再布线层，过孔导电金属和功率端子组成。本发明通过焊料层将IGBT功率芯片及二极管芯片和下DBC基板连接。同时在中间转接板上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将IGBT功率芯片和二极管芯片嵌入在中间转接板内。芯片和转接板的上表面覆有导电金属层，中间转接板的上下表面分别和上下DBC基板互连，各功率端子分别从上下DBC基板的导电覆铜层引出，得到嵌入式双面互连功率模块。该发明可以实现IGBT功率模块的双面散热，提高了散热效率。而且不使用键合线，减小了模块的寄生电感。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 双面 互连 功率 模块 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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