[发明专利]一种高灵敏的负电容场效应管光电探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种高灵敏的负电容场效应管光电探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、氧化物、栅电极、具有负电容效应的氧化铪基铁电栅电介质、氧化物栅电介质、低维半导体沟道、金属源漏电极。首先在衬底上通过离子束溅射制备栅电极层，在该电极层上利用原子层沉积法生长氧化铪基铁电薄膜，高温快速退火后，沉积氧化物栅电介质，而后在该结构上制备过渡金属硫族化合物低维半导体，最后运用电子束刻蚀技术结合剥离工艺制备金属源漏电极，形成基于氧化铪基铁电薄膜的低维材料负电容场效应管光电探测器件结构。该金属‑铁电‑氧化物‑半导体光电晶体管结构可实现极低的亚阈值摆幅与高性能的室温光电探测。