[发明专利]纵向渐变的等离子激元增强红外宽谱吸收的人工微结构有效
申请号: | 201911093633.0 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN110931577B | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 胡伟达;葛浩楠;王鹏;王芳;古悦;李庆;陈效双;陆卫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/103 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种纵向渐变的等离子激元增强红外宽谱吸收的人工微结构。其关键在于陷光结构与等离子激元结合,先通过对碲镉汞样品进行微纳加工使表面形成周期性柱状结构,然后在微结构表面沉积金薄膜。由于棱柱的侧面存在梯度,造成沉积后棱柱斜面处的金薄膜横向和纵向厚度不同(横向厚度远小于纵向厚度)。周期性排列的人工微结构在时变电场下,棱柱表面的金薄层产生的等离子激元与邻近棱柱的等离子激元发生共振,产生一种横向传播的模式。本专利中设计的表面微结构比传统陷光结构的表面微结构具有更小的几何尺寸,能进一步减小由材料体积所导致的本征暗电流,同时保持高量子效率,提高器件性能。 | ||
搜索关键词: | 纵向 渐变 等离子 增强 红外 吸收 人工 微结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的