[发明专利]一种多层InGaAs探测器材料结构和制备方法在审
| 申请号： | 201911093644.9 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110896120A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;王红真;杨波;马英杰;李淘;邵秀梅;李雪;龚海梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/105;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种多层InGaAs探测器材料结构和制备方法：所述探测材料结构由下往上依次为InP(001)衬底、n型InP缓冲层、i型晶格匹配的InGaAs吸收层、n型晶格匹配的InGaAs阻挡层和n型InP帽层。其中，所述的n型阻挡层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度5x10 |
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| 搜索关键词： | 一种 多层 ingaas 探测器 材料 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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