[发明专利]一种抗热迁移微焊点结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201911093810.5 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110744163B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 杨栋华;杜飞;冉藤;田将;翟翔;秦浩桐;张春红;杨明波 | 申请（专利权）人： | 重庆理工大学 |
| 主分类号： | B23K1/08 | 分类号： | B23K1/08;B23K1/20;C25D3/46;C25D3/56 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400054 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微电子制造中抗热迁移的微焊点结构，包括热端金属基底和冷端金属基底，所述热端金属基底的焊接面上设有Co‑P纳米晶薄膜，该Co‑P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%，所述冷端金属基底的焊接面上设有Ag纳米晶薄膜；所述热端金属基底和冷端金属基底通过锡基钎料连接，所述锡基钎料与Co‑P纳米晶薄膜和Ag纳米晶薄膜的连接处分别形成第一金属间化合物和第二金属间化合物。其在极端温度梯度条件下具有良好的抗热迁移性能和高可靠性，使用寿命长。还公开了一种微电子制造中抗热迁移微焊点的制备方法，工艺流程简单，工序少，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗热 迁移 微焊点 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗热迁移微焊点结构，其特征在于：包括热端金属基底和冷端金属基底，所述热端金属基底的焊接面上设有Co-P纳米晶薄膜，该Co-P纳米晶薄膜中P的原子百分比为0.1~10at.%，所述冷端金属基底的焊接面上设有Ag纳米晶薄膜；/n所述热端金属基底和冷端金属基底通过锡基钎料连接，所述锡基钎料与Co-P纳米晶薄膜和Ag纳米晶薄膜的连接处分别形成第一金属间化合物和第二金属间化合物。/n
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