[发明专利]一种倒装高压发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201911094190.7 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN110808318B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 刘伟;李俊贤;刘英策;邬新根;黄瑄 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/32 | 分类号: | H01L33/32;H01L33/20;H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张静 |
地址: | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本申请实施例提供一种倒装高压发光二极管及其制作方法,该制作方法先在所述P型氮化镓层和N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构,再在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形,从而利用光刻胶图形在复合掩膜结构中形成第一刻蚀孔,利用复合掩膜结构在N型氮化镓层表面形成第二刻蚀孔,从而避免直接利用光刻胶层在N型氮化镓层中制作第二刻蚀孔导致光刻胶图形的厚度较大引起的深刻蚀槽的制作不易控制,容易出现刻蚀角度一致性差的问题,提高倒装高压二极管的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 高压 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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