[发明专利]在硅CMOS堆叠体中集成III-V族晶体管在审
| 申请号： | 201911094591.2 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN111326484A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | G·杜威;T·卡姆嘎因;A·阿列克索夫;G·多吉阿米斯;H-J·李 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/07;H01L23/498 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开的实施例包括半导体器件和形成这种器件的方法。在一个实施例中，该半导体器件包括第一半导体层，其中在第一半导体层中制造第一半导体晶体管，以及在第一晶体管的上方的后端堆叠体。在一个实施例中，后端堆叠体包括电耦合到该第一晶体管的导电迹线和过孔。在一个实施例中，该半导体器件还包括在后端堆叠体上方的第二半导体层，其中第二半导体层是与第一半导体层不同的半导体。在一个实施例中，在第二晶体管被制造在第二半导体层中。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 堆叠 集成 iii 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911094591.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铁硅铝磁粉及其制备工艺
- 下一篇：光学谐振腔
