[发明专利]基板干燥方法及基板处理装置在审
| 申请号： | 201911095662.0 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN111180360A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木悠太;高桥弘明;尾辻正幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金辉;崔炳哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 向基板的上表面供给包括升华性物质和溶剂的溶液即干燥前处理液。然后，通过使溶剂从基板上的干燥前处理液蒸发，从而在基板上的干燥前处理液中析出升华性物质的固体。然后，使升华性物质的固体的至少一部分溶解于基板上的干燥前处理液。然后，通过使溶剂从溶解有升华性物质的固体的干燥前处理液蒸发，从而在基板上析出升华性物质的固体。然后，通过使升华性物质的固体升华，从而从基板的上表面除去升华性物质的固体。 | ||
| 搜索关键词： | 干燥 方法 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
