[发明专利]一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件

摘要

本发明实施例提供一种多叉指LDMOS‑SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS‑SCR器件，本发明在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS‑SCR的导通均匀性，进而提高多叉指LDMOS‑SCR的鲁棒性。

主权项

1.一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件，其特征在于，包括P型衬底；/n所述P型衬底中设有N型深阱；/n所述N型深阱内从左到右依次设有第一P阱、所述第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、所述第二P阱、所述第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、所述第三P阱、所述第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；/n所述第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；其中，所述第一P+注入区位于所述第一P阱左侧，所述第一N+注入区位于所述第一P阱右侧；/n所述第一P阱和所述第二P阱之间的N型深阱内设有第二N+注入区和多个P+注入区Ⅰ，其中所述P+注入区Ⅰ包括从左到右依次设有第二P+注入区和第三P+注入区，所述第二N+注入区位于所述第二P+注入区和所述第三P+注入区之间；/n所述第二P阱内设有多个P+注入区Ⅱ和多个N+注入区Ⅰ，其中所述P+注入区Ⅱ从左到右依次设置的是第四P+注入区、第五P+注入区和第六P+注入区，所述N+注入区Ⅰ从左到右依次设有第三N+注入区和第四N+注入区，所述第二P阱从左到右依次设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；/n所述第二P阱和所述第三P阱之间的N型深阱内设有第五N+注入区和多个P+注入区Ⅲ，所述P+注入区Ⅲ从左到右依次设有第七P+注入区和第八P+注入区，所述第五N+注入区位于所述第七P+注入区和所述第八P+注入区之间；/n所述第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，所述N+注入区Ⅱ从左到右依次设有第六N+注入区和第七N+注入区，所述第九P+注入区位于所述第六N+注入区和所述第七N+注入区之间；/n所述第三P+阱和所述第四P阱之间的N型深阱内设有第八N+注入区和多个P+注入区Ⅳ，所述P+注入区Ⅳ从左到右依次设有第十P+注入区和第十一P+注入区，所述第八N+注入区位于所述第十P+注入区和所述第十一P+注入区之间；/n所述第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，所述P+注入区Ⅴ从左到右依次设有第十二P+注入区和第十三P+注入区，所述第九N+注入区位于所述第十二P+注入区和所述第十三P+注入区；/n所述第一P+注入区、所述第三N+注入区、所述第五P+注入区、所述第四N+注入区、所述第九P+注入区、所述第九N+注入区以及所述第十三P+注入区连接阴极；所述第二P+注入区、所述第二N+注入区、所述第三P+注入区、所述第七P+注入区、所述第五N+注入区、所述第八P+注入区、所述第十P+注入区、所述第八N+注入区以及所述第十一P+注入区连接阳极；所述第一N+注入区、所述第四P+注入区、所述第六P+注入区、所述第六N+注入区、所述第七N+注入区以及所述第十二P+注入区电极短接。/n