[发明专利]一种含硅负极片、其制备方法及锂离子电池在审
申请号: | 201911095735.6 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN110993891A | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 袁号;李素丽;赵伟;唐伟超;李俊义;徐延铭 | 申请(专利权)人: | 珠海冠宇电池有限公司 |
主分类号: | H01M4/134 | 分类号: | H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 刘伟;蔡丽 |
地址: | 519180 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及电池领域,尤其涉及一种含硅负极片、其制备方法及锂离子电池。本发明的含硅负极片,包括:集流体,第一含硅层,所述第一含硅层涂布于所述集流体至少一侧的表面,所述第一含硅层中的硅含量为50~80wt%;第二含硅层,所述第二含硅层涂布于所述第一含硅层的表面,所述第二含硅层中包括多孔纳米硅,所述第二含硅层中的硅含量为10~50%;以及外层,所述外层涂布于所述第二含硅层的表面;所述外层中的硅含量为0~10wt%。所述硅负极片材料用于锂离子电池时,锂离子扩散系数大,可抑制硅材料的体积膨胀,结构稳定,导电率高,循环稳定性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 负极 制备 方法 锂离子电池 | ||
【主权项】:
暂无信息
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