[发明专利]一种大面积连续超薄二维Ga2

摘要

本发明属于半导体材料生长制备与应用技术领域，具体为一种大面积连续超薄二维Ga2O3非晶薄膜的制备方法与应用。利用Ga金属低熔点和室温表面易氧化的特性，采用PDMS柔性粘性衬底与流动的液态Ga金属接触，通过印刷方法制备超薄连续的二维Ga2O3非晶薄膜；进一步将其作为模版并进行不同气氛的高温处理，可以制备系列二维Ga系非晶、多晶和单晶二维连续超薄半导体薄膜材料。该方法简单，成本低廉，可以实现连续大面积甚至晶圆尺寸的二维半导体薄膜材料制备，这对于研究Ga系半导体材料在二维极限条件下的光学、电学、光电子学性能以及构建范德华异质结光电器件方面有着重要的意义。