[发明专利]一种高质量外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201911097814.0 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110767785A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭;农明涛 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量外延结构及其制作方法，所述外延结构包括衬底，缓冲层、u‑GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，所述缓冲层设置在衬底和u‑GaN层之间，以减少衬底和GaN之间的晶格差异，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层由AlN制成，所述第二缓冲层包括若干个周期的GaN层和SiNx层。本发明在衬底和GaN之间设置第一缓冲层和第二缓冲层，有效减低外延缺陷，减少晶格失配，提高外延结构的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 衬底 外延结构 晶格差异 晶格失配 外延缺陷 源层 制作 | ||
【主权项】：
1.一种高质量外延结构，其特征在于，包括衬底，缓冲层、u-GaN层、N型GaN层、有源层和P型GaN层，所述缓冲层设置在衬底和u-GaN层之间，以减少衬底和GaN之间的晶格差异，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层与衬底连接，所述第一缓冲层由AlN制成，所述第二缓冲层包括若干个周期的GaN层和SiNx层，所述GaN层与第一缓冲层连接，所述SiNx层与u-GaN层连接。/n
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