[发明专利]基于F离子保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管及制作方法在审
| 申请号： | 201911097918.1 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110808279A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张进成;宋秀峰;赵胜雷;朱丹;刘志宏;周弘;许晟瑞;冯倩;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;张问芬 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于F离子保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8)，势垒层(5)中的阳极下方1～3μm长度内注有F离子，形成F离子保护环(6)，该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有F离子保护环，降低了阳极下方边缘电场峰值，提高了击穿电压，且工艺简单、成品率高和可靠性好，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 离子 保护环 结构 algan gan 肖特基势垒二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
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