[发明专利]一种基于金属超表面结构的光存储器件及方法有效

专利信息
申请号: 201911098152.9 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN111048133B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 郑国兴;陈奎先;崔圆;李子乐;单欣;李仲阳 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: G11C11/42 分类号: G11C11/42
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 胡琦旖
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于光信息存储技术领域,公开了一种基于金属超表面结构的光存储器件及方法,将每个基底子单元及其工作面上的一个金属纳米砖的组合作为一个光信息存储单元,在入射线偏光的偏振方向保持不变的情况下,通过改变N个金属纳米砖的转角实现多信息的写入,存储N‑bit信息。本发明解决了现有技术中光信息存储的存储密度较低、读取速度较慢的问题,本发明基于金属超表面结构的光存储器件存储密度大、效率高、结构简单、集成度高、读取速率快,本发明基于金属超表面结构的光存储方法可以实现单个信息存储单元N‑bit的存储模式,可以扩充现有光存储技术的存储密度,加快存储信息的读取。
搜索关键词: 一种 基于 金属 表面 结构 存储 器件 方法
【主权项】:
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