[发明专利]主被动红外探测器及其制作方法有效
| 申请号： | 201911098174.5 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112864259B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 朱虹;赵宇;黄勇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种主被动红外探测器，包括设置于衬底上的主动红外探测部和被动红外探测部，主动红外探测部包括依次层叠设置于衬底上的光敏材料接触层、光敏材料吸收层和光敏材料连接层；其中，光敏材料接触层、光敏材料吸收层和光敏材料连接层均为GaAsSb或者GaSb体材料，被动红外探测部设置于光敏材料连接层上。本发明还公开了上述主被动红外探测器的制作方法。本发明解决了现有的主被动红外探测器中主动探测能力较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 被动 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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